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产品参数 产品价格 电议 发货期限 电议 供货总量 电议 运费说明 电议 12133 232312 仪器标定机构,注销(莆田市分公司)专业从事仪器标定机构,联系人:注销,电话:【1】、【1】,发货地:注销,以下是仪器标定机构的详细页面。 福建省,莆田市 莆田市，古称“兴化”，又称“荔城”“莆阳”“兴安”“莆仙”，福建省辖地级市，位居福建省沿海中部，境内地势西北高、东南低，横剖面呈马鞍状，地处北回归线北侧边缘，东濒海洋，属典型的亚热带海洋性季风气候，陆域面积4200平方千米。截至2022年7月，全市辖4个区、1个县。截至2022年底，全市常住人口319.9万人。
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5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战。环栅纳米线器件由于具有更好的沟道静电完整性、漏电流控制和载流子一维弹道输运等优势，被认为是未来可能取代FinFET的关键架构之一。近年来，将理想环栅纳米线结构和主流FinFET工艺结合发展下一代集成技术已成为集成电路深入发展的研发关键热点之一。如图1所示，目前国际报道的基于主流高k金属栅FinFET制造工艺形成堆叠纳米线器件的研发有两种不同方案：堆叠纳米线(SNW，IMEC)和堆叠纳米片(Nanosheet，IBM)技术。上述方案都需要在普通硅衬底上外延生长高质量的多层GeSi/Si结构，并在高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀GeSi或Si，终在沟道中选择形成堆叠纳米线而在源漏中保持Fin结构。该技术在集成电路大规模制造中存在许多潜在的挑战: 须生长高质量、接近体硅质量无缺陷的多层GeSi/Si外延层；由于Ge元素在前道集成步骤中引入，给后继工艺带来较低的工艺温度窗口限制以及较多的Ge原子沾污机会。
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